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1. AI芯片的设计与实现
聚焦于轻量化神经网络架构的设计、硬件加速电路的设计与实现。
2. 集成电路的可靠性与可制造性
聚焦于半导体器件的低频噪声与应用、纳米集成电路的可靠性表征与评价、低频噪声测试仪的设计与实现。
- Liu Y., Deng S. B., Chen R. S., et al. Low Frequency Noise in the Hybrid-Phase-Microstructure ITO-stabilized ZnO Thin Film Transistors. IEEE Electron Device Let.
- Liu Y., Wu W. J., En Y. F., et al. Total Dose Ionizing Radiation Effects in the Indium–Zinc Oxide Thin-Film Transistors. IEEE Electron Device Letters. 2014, 35.
- Liu Y., Wu W. J., Lei Z. F., et al. Instability of Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors Under Transmission Line Pulsed Stress. IEEE Electron Device Letters. .
- Liu Y., He H. Y., Chen Y. Y., et al. Temperature-dependent Low-frequency Noise in Indium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Down to 10 K. IEEE Transaction on Elec.
- Liu Y., Chen R. S., Li B., et al. Analysis of Indium Zinc Oxide Thin Film Transistors under Electrostatic Discharge Stress. IEEE Transaction on Electron Device..
- 刘远, 周伟源, 陈义强等. 瞬态脉冲宽度展宽电路及方法, 国家发明专利(已授权), ZL 201710173575.7
- 许华杰, 刘远, 恩云飞等. 随机数产生电路及随机数产生方法, 国家发明专利(已授权), ZL 201710198292.8
- 刘远, 刘健波, 恩云飞等. 单粒子瞬态脉冲宽度展宽方法与电路, 国家发明专利(已授权), ZL 201310113322.2
- 刘远, 恩云飞, 罗宏伟等. 单粒子瞬态脉冲宽度测量方法和测量装置、脉冲产生装置, 国家发明专利(已授权), ZL 201210454236.3
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- 铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性及其可靠性应用，国家自然科学基金面上项目，61574048，2016.1-2019.12，73.68万，主持,
- 双极型器件低剂量率辐射损伤机理与加速试验研究，国家自然科学基金青年基金，61204112，2012.1-2015.12，26万，主持,
- 基于噪声分析的金属氧化物薄膜晶体管可靠性表征与质量评估方法，广州市珠江科技新星专项，201710010172，2017.5-2020.4，30万，主持,
- 高端芯片可靠性与可信任性评价分析关键技术，“芯片、软件与计算”广东省重点领域研发计划，2019B010145001，2019.7-2022.6，150/3000万，校方主持,
- 新能源汽车碳化硅器件及模块的研发和产业化，“第三代半导体材料与器件”广东省重点领域研发计划，2020B0101070002，2020.1-2022.12，100/1600万，校方主持,