刘远(教授)

博士生导师 硕士生导师

出生日期:1984-11-26

入职时间:2018-07-06

所在单位:集成电路学院

学历:博士

性别:男

学位:工学博士学位

在职信息:在职

学科:微电子学与固体电子学
电路与系统
控制理论与控制工程

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刘远, 何红宇, 陈荣盛等. 氢化非晶硅薄膜晶体管的低频噪声特性. 物理学报. 2017, 66(23): 077101

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是否译文:

上一条: Liu Y., Peng Z. J, Lu Y. D., et al. A surface potential-based DC model considering interface trap states for 4H-SiC power MOSFETs. AIP Advances. 2020, 10(9): 095224 下一条: 王静, 刘远*, 刘玉荣等. 铟锌氧化物薄膜晶体管局域态分布的提取方法. 物理学报. 2016, 65(12): 128501